2020年3月15日，我中心訾威博士与研究生穆芳玲，在国际期刊《Solar Energy》发表发题为“Post-annealing treatment of a-GeSe thin films for photovoltaic application”的研究论文 (https://doi.org/10.1016/j.solener.2020.03.009)。
GeSe材料具有高的光吸收、合适的光学带隙（1.1~1.2 eV）、低成本、稳定等优势，但是在高温制备多晶GeSe时，材料中的Se元素容易挥发，导致材料的缺陷较多。本研究采用快速退火非晶GeSe薄膜的方式来制备多晶GeSe薄膜，详细研究了退火工艺对GeSe材料的光学特性及电学特性的影响。最后制备了FTO/CdS/GeSe/Au结构的GeSe薄膜电池，并获得了0.65%的电池效率，该工作为进一步研究GeSe薄膜电池提供了基础。
该研究得到了河南省高等学校重点科研项目以及信阳师范学院南湖学者青年项目的资助。
